10月30日（金）

 

チュートリアル

 

09:30~09:40      30T00　イントロダクトリー
市川 和典
神戸高専

 

09:40~10:40      30T01　カーエレクトロニクスを牽引する半導体技術
藤本裕
デンソー

 

10:40~11:00　休憩

 

11:00~12:00      30T02　酸化物TFTバックプレーン駆動回路 (イン・セル化技術と大型化技術)
服部 励治
九州大学

 

12:00~13:10　昼食

 

13:10~13:20      開会式

 

オーラルセッション1: IV族次世代デバイス

 

13:20~14:00      30p-I01　SiCパワーデバイス・モジュールの開発とその応用   (招待講演)
中村 孝
ローム

 

14:00~14:20      30p-O01　4H-SiC MOSFETsによる極限環境エレクトロニクスへの展開
黒木伸一郎1,*), 長妻宏郁1), M.D. Silva1), 石川誠治1,2), 前田知徳1,2), 瀬崎洋1,2), 吉川公麿1), 牧野高紘3), 大島武3), Mikael Östling4), C. Zetterling4)
1) 広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 2) フェニテックセミコンダクター3) 日本原子力研究開発機構 4) スウェーデン王立工科大学

 

14:20~14:40      30p-O02　ＰＮ接合の電圧印加による光誘起少数キャリヤライフタイム挙動の研究
鮫島俊之*), 中村友彦, 蓮見真彦
東京農工大学 工学部

 

14:40~15:00　休憩（展示コマーシャル）

 

オーラルセッション2: 機能性材料・デバイス

 

15:00~15:20      30p-O03　カーボンナノチューブを用いたユニレグ型フレキシブル熱電変換素子の特性評価
末森浩司1,*), 渡邉雄一1), 星野聰1)
1)産業技術総合研究所 2) 未利用熱エネルギー革新的活用技術研究組合

 

15:20~15:40      30p-O04　アモルファスゲルマニウム細線への大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により作製した薄膜トランジスタの特性評価
中谷太一1,*), 森崎誠司1), 東清一郎1)
1) 広島大学 先端物質科学研究科

 

15:40~16:00      30p-O05　ガラス基板上のHigh-kゲート絶縁膜を用いた自己整合平面型メタルダブルゲートジャンクションレスp-ch低温poly-Ge TFT
西村 勇哉1,*), 中島 拓也2), 原 明人1,2)
1) 東北学院大学 工学研究科 2) 東北学院大学 工学部

 

16:00~16:20      30p-O06　堆積Al薄膜へのレーザー照射による4H-SiCへのAlドーピング
角名陸歩1*), 池田晃裕1), 池上浩1), 浅野種正1)
1) 九州大学 システム情報科学府

 

16:20~16:40　休憩

 

ショートプレゼンテーション/ポスターセッション1

 

16:40~18:20

30p-P01　変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により成膜されたp-i/i-n界面の評価
岩崎真宝*), 大江和顕, 清水 耕作
日本大学 生産工学研究科

 

30p-P03　Poly-Si TFTによるニューラルネットワーク - 文字認識 -

森田 竜平*), 杉崎 澄生, 松田 時宜, 木村 睦
1) 龍谷大学 理工学研究科

 

30p-P05　Electrical Properties of Pulsed-Laser Crystallized Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method
M.T.K. Lien and S. Horita
Japan Adv. Inst. Sci. & Tech. (JAIST)

 

30p-P07　マイクロ波急速加熱によるシリコンの活性化とドーピングの検討

太田康介1,*), 木村駿介1), 蓮見真彦1), 鈴木歩太2), 牛島満2), 鮫島俊之1)
1) 東京農工大学 工学部 2) 東京エレクトロン

 

30p-P09　薄膜フォトトランジスタの光誘起電流のチャネル形状に対する依存性
　　　　　　　　　　　―デバイスシミュレーションによる解析―
田中 匠*), 門目 尭之, 渕矢 剛宏, 春木 翔太, 松田 時宜, 木村 睦
1) 龍谷大学 理工学研究科

 

30p-P11　(100)-Dominantly Oriented Poly-Si Thin Films Formed by Double-Line Beam Continuous-Wave Laser Crystallization with Overlapping
T. Nguyen*), T. Hirata and S. Kuroki
The Research Institute for Nanodevice and Bio Systems, Hiroshima University

 

30p-P13　非晶質InGaZnO4の酸素化及び水素化によるバンド吸収端の特性評価

張帥澤*), 小松大介, 清水耕作
日本大学　生産工学研究科

 

30p-P15　アモルファスIGZOの成長条件、膜密度、化学結合とトランジスタの特性
菊池満帆1,*), 岸田陽介1), 井出啓介1,2), 平松秀典1,2), 細野秀雄1,2,3), 神谷利夫1,2)
1) 東京工業大学 応用セラミックス研究所 2) 東京工業大学 元素戦略センター 3）東京工業大学 フロンティア研究機構

 

30p-P17　高イオン化ポテンシャル有機半導体材料測定に向けた原子間力顕微鏡ポテンショメトリの改良
中嶋 識之1,*), 高橋 裕之2), 松原 亮介1), 小島 広孝1), 中村 雅一1)
1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 富士フイルム

 

30p-P19　混合溶媒を用いた塗布型有機トランジスタのデバイス特性制御と高性能化

中道諒介1,*), 永瀬 隆1,2), 小林隆史1,2), 貞光雄一3), 内藤裕義1,2)
1) 大阪府立大学工学研究科2) 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 3) 日本化薬

 

30p-P21　高速分子線セルを用いた高指向性条件によるペンタセンOTFTの作製

信長 賢輝1,*), 寺岡 拓麻1), 松原 亮介2), 小島 広孝1), 中村 雅一1)
1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 静岡大学 総合科学技術研究科

 

30p-P23　フルオレン系高分子配向薄膜を用いた積層有機発光トランジスタからの面状発光と発光特性改善

大友 隆弘1,*), 橋本 和弥1), 梶井 博武1), 大森 裕1)
1) 大阪大学 工学研究科

 

30p-P25　反射型多接合ソーラーセルの原理的検証

蓮見真彦*), 吉冨真也, 鮫島俊之
東京農工大学

 

30p-P27　a-Ge薄膜のFLA結晶化における固相結晶化と液相結晶化
平野 翔大1,*), 部家 彰1), 松尾 直人1), 河本 直哉2), 中村 祥章3), 横森 岳彦3), 吉岡 正樹3)
1) 兵庫県立大学 工学研究科 2) 山口大学 理工学研究科 3) ウシオ電機

 

 

18:20~18:40　会場移動

 

ランプセッション

18:40~21:00

 

19:00~20:00      30p-R01　パワー半導体SiCの黎明と発展   (招待講演)
松波 弘之
京都大学名誉教授

 

20:00~20:20      30p-R02　水素導入DCマグネトロンスパッタによるInGaZnO薄膜の成膜と薄膜トランジスタ応用
戸田 達也1,*), 古田 守1)
1) 高知工科大学

 

20:20~20:40      30p-R03　電子写真技術によるフレキシブルOFETの無溶媒乾式印刷
佐々木 達彦1,*), 高 徳幸1), 山口 祥平1), 林 潤郎1), 酒井 正俊1), 山内 博1), 岡田 悠悟1), 貞光 雄一2), 品村 祥司2), 工藤 一浩1)
1) 千葉大学 工学研究科 2) 日本化薬

 

10月31日（土）

 

オーラルセッション3: 有機材料・デバイス

 

09:00~09:40      31a-I01　薄膜エレクトロニクスの生体医療応用に関する研究開発   (招待講演)
関谷 毅1,*)
1) 大阪大学　産業科学研究所

 

09:40~10:00      31a-O01　酸素プラズマ処理によるDNTTトランジスタの閾値電圧制御
木谷 朝陽1,*), 木村 由斉1), 北村 雅季1,2), 荒川 泰彦2,3)
1) 神戸大学工学研究科 2) 東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 3) 東京大学生産技術研究所

 

10:00~10:20      31a-O02　マイクロ波伝導度測定法による π 拡張チエノアセンの電荷輸送特性評価
筒井 祐介1,2*), 崔 旭鎮1,2), 櫻井 庸明1), 関 修平1)
1) 京都大学 工学研究2) 大阪大学 工学研究科

 

10:20~10:40      31a-O03　インピーダンス分光を用いた有機半導体デバイスの電荷寿命評価
高木 謙一郎1,*), 永瀬 隆1,2), 小林 隆史1,2), 内藤 裕義1,2)
1) 大阪府立大学 工学研究科2) 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所（RIMED）

 

10:40~11:00　休憩（展示コマーシャル）

 

オーラルセッション4: 酸化物材料・デバイス

 

11:00~11:20      31a-O04　超ワイドギャップアモルファス半導体: a-Ga2O3
J. Kim1,*), 関谷拓実1), 渡邉脩人1), 井手啓介1), 平松秀典1,2), 細野秀雄1,2), 神谷利夫1,2)
1) 東京工業大学 応用セラミックス研究所 2) 東京工業大学 元素戦略研究センター

 

11:20~11:40      31a-O05　In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極エッチングダメージが電解効果移動度に及ぼす影響
是友大地1*), 戸田達也1), 古田守1,2)
1) 高知工科大学 環境理工学群 2) 高知工科大学 総合研究所

 

11:40~12:00      31a-O06　非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
大野祐樹1,*), 竹山裕貴1), 田中聡1), 清水耕作1)
1) 日本大学 生産工学研究科

 

12:00~12:20      31a-O07　a-IGZO薄膜における連続電圧印加が与える影響
古我祐貴1,*), 松田時宜1), 木村睦1)
1) 龍谷大学 理工学研究科

 

12:20~13:40　昼食

 

ショートプレゼンテーション/ポスターセッション2

13:40~15:20

31p-P02　空間強度変化レーザスポット走査によるSi膜中の単一結晶粒成長
葉 文昌, 山崎仁貴, 石本晃久
島根大学

 

31p-P04　メカニカルスタック型多接合ソーラーセルの中間層における光反射ロス低減
木村駿介1,*), 吉冨真也1), 蓮見真彦1), 鮫島俊之1)
1) 東京農工大学 電気電子工学科

 

31p-P06　Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサ -矩形波出力の回路シミュレーションによる動作確認-
林 久志*), 木藤 克哉, 北島 秀平, 堀 賢将, 松田 時宜, 木村 睦
龍谷大学 理工学研究科

 

31p-P08　PH3プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン膜中への不純物ドーピング
新 良太1,*), 森崎 誠司1), 東 清一郎1)
1) 広島大学 先端物質科学研究科

 

31p-P10　MISダイオードを持つマイクロウォール太陽電池
大木康平1*), 日下部昂志1), 部家彰1), 松尾直人1)
1) 兵庫県立大学 工学研究科

 

31p-P12　Poly-Si TFTを用いた近赤外線センサの特性評価
木藤 克哉1,*), 北島 秀平1), 松田 時宜1), 木村 睦1), 田村 光夫1), 井上 昌秀2)
1) 龍谷大学 理工学研究科2) 華為技術日本

 

31p-P14　a-In-Ga-Zn-Oにおける過剰酸素の化学結合状態とその欠陥準位
井手啓介1,2*), 小林雄太郎1), 平松秀典1,2), 上田茂典3), 大橋直樹2,3) 雲見日出也2), 細野秀雄1,2), 神谷利夫1,2)
1) 東京工業大学 応用セラミックス研究所 2) 東京工業大学 元素戦略センター 3) 物質材料研究機構

 

31p-P16　DNTT前駆体とフラーレン誘導体を用いた塗布プロセスによる積層両極性トランジスタの作製
末永悠1,*), 永瀬隆1,2), 小林隆史1,2), 木村友3), 濱口梓3), 池田吉紀3), 城尚志3), 瀧宮和男4), 内藤裕義1,2)
1) 大阪府立大学 工学研究科 2) 大阪府立大学 分子エレクトロニックデバイス研究所 3) 帝人4) 理化学研究所 創造物性科学研究センター

 

31p-P18　有機平板状低分子化合物における巨大ゼーベック効果
中川真理雄1,*), 藤原史弥1), 阿部 竜1), 小島広孝1), 高橋功太郎1), 葛原大軌1), 小栗貴文2), 菊池 護2), 渡辺 剛3), 小金澤智之3), 山田容子1), 吉本則之2), 中村雅一1)
1) 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 2) 岩手大学 工学研究科 3)高輝度光科学研究センター

 

31p-P20　二次イオン質量分析法による屋内用有機光電変換素子のドーパント濃度の定量
松村 和泉*), 森田 麻美, ラチャイワラクル チャー, 柴 瀛, 小島 広孝, 中村 雅一
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

 

31p-P22　Ag / pentacene / Ag接合の直流および交流伝導特性
林 稔晶1,*), 横田 知之2,3), 志立 錬2), 藤原 聡1), 染谷 隆夫2,3)
1) NTT物性科学基礎研究所 2) 東京大学 工学研究科 3) ERATO

 

31p-P24　Niの熱窒化により形成したNiワイドギャップ半導体を用いたTFTの作製と評価
小野 誠1,*), 市川 和典1), 赤松 浩1)
1) 神戸高専　電気工学科

 

31p-P26　HMD法によるグラフェンの形成に関する検討
平野竣1,*), 部家彰1), 松尾直人1)
1) 兵庫県立大学 工学研究科

 

31p-P28　Cu誘起低温結晶化法のめっきGe膜への応用
内田恭敬*), 舩山朋子, 木暮嘉明
帝京科学大学

 

 

15:20~15:40　休憩

 

オーラルセッション5: IoTに向けた新デバイス

 

15:40~16:20      31p-I02 ウェアラブルコンピューティングの現状とこれから   (招待講演)
塚本昌彦
神戸大学 工学研究科

 

16:20~16:40      31p-O08 耐熱性ポリ尿素を用いた薄膜作製と電気特性評価および焦電型赤外線センサ応用
森本勝大*), 小柴康子, 三崎雅裕, 石田謙司
神戸大学 工学研究科

 

16:40~17:00      31p-O09 ガラス上の自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTの制御性
大澤弘樹1,*), 原明人1)
1) 東北学院大学 電子工学専攻

 

閉会式

17:00~17:20